English
Spain
China
Italy
GermanyFF150R12ME3GBOSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FF150R12ME3GBOSA1
Примечания
IGBT MOD 1200V 200A 695W
Подробное описание
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount Module
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
EconoDUAL™
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Power - Max
695 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
10.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF150R12M
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
INFINFFF150R12ME3GBOSA1
2156-FF150R12ME3GBOSA1
FF150R12ME3G-ND
SP000317332
FF150R12ME3G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FF150R12ME3G)
HTML Datasheet
1(FF150R12ME3G)
Количественные цены
Количество: 10
Стоимость единицы: $118.472
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 10
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 10
Альтернативы
Номер запчасти. : FF150R12ME3GBOSA1
Производитель : Rochester Electronics, LLC
Имеющееся количество : 777
Стоимость единицы : $123.69000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 777
Стоимость единицы : $123.69000
Тип замены : Parametric Equivalent