English
Spain
China
Italy
GermanyTSM2N60SCW RPG
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
TSM2N60SCW RPG
Примечания
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Подробное описание
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
TSM2
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
TSM2N60SCW RPGCT-ND
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-ND
TSM2N60SCW RPGDKR-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60SCW RPG
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(TSM2N60S)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 17/Sep/2017)
HTML Datasheet
1(TSM2N60S)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : STN3N45K3
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 12,527
Стоимость единицы : $0.98000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 12,527
Стоимость единицы : $0.98000
Тип замены : Similar