English
Spain
China
Italy
GermanyIRFU3412PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFU3412PBF
Примечания
MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
Подробное описание
N-Channel 100 V 48A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU3412PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFR3412PbF, IRFU3412PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Design Resources
1(IRFR3412PBF Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFR3412PbF, IRFU3412PbF)
Simulation Models
1(IRFR3412PBF Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-