English
Spain
China
Italy
Germany2SD1133C-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SD1133C-E
Примечания
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 4 A 7MHz 40 W Through Hole TO-220AB
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
258
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 4V
Power - Max
40 W
Frequency - Transition
7MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
RENRNS2SD1133C-E
2156-2SD1133C-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SD1133C-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 258
Стоимость единицы: $1.16
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 258
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 258
Альтернативы
-