Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPL65R1K0C6SATMA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Подробное описание
N-Channel 650 V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
5,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ C6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
34.7W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSON-8-2
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
IPL65R1

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SP001163084
2156-IPL65R1K0C6SATMA1
ROCINFIPL65R1K0C6SATMA1

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPL65R1K0C6S)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPL65R1K0C6S)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)

Количественные цены

Количество: 10000
Стоимость единицы: $0.55256
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 5000
Количество: 5000
Стоимость единицы: $0.5793
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 5000

Альтернативы

Номер запчасти. : IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $1.09000
Тип замены : MFR Recommended