Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SUP60030E-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Подробное описание
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
50 Weeks
Модель EDACAD
SUP60030E-GE3 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7910 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SUP60030

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUP60030E-GE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(SUP60030E)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(SUP60030E)
EDA Models
1(SUP60030E-GE3 Models)

Количественные цены

Количество: 5000
Стоимость единицы: $1.375
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1000
Стоимость единицы: $1.52207
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $1.9998
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $2.3332
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $2.94
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-