English
Spain
China
Italy
GermanyBSM180C12P2E202
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSM180C12P2E202
Примечания
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Подробное описание
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
Производитель
Rohm Semiconductor
Стандартный срок поставки
17 Weeks
Модель EDACAD
BSM180C12P2E202 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1360W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
Module
Package / Case
Module
Base Product Number
BSM180
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BSM180C12P2E202)
Product Training Modules
()
Video File
()
Featured Product
()
EDA Models
1(BSM180C12P2E202 Models)
Количественные цены
Количество: 12
Стоимость единицы: $620.54417
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $644.78
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-