English
Spain
China
Italy
GermanyBSC091N03MSCGATMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSC091N03MSCGATMA1
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание
N-Channel 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,154
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
INFINFBSC091N03MSCGATMA1
2156-BSC091N03MSCGATMA1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC091N03MSCGATMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BSC091N03MSCGATMA1 Datasheet)
Количественные цены
Количество: 1154
Стоимость единицы: $0.26
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1154
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1154
Альтернативы
-