English
Spain
China
Italy
GermanyNTD4979N-35G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
NTD4979N-35G
Примечания
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Подробное описание
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole IPAK
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
NTD4979N-35G Models
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
837 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD4979
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
ONSONSNTD4979N-35G
2156-NTD4979N-35G-OS
2832-NTD4979N-35G
2832-NTD4979N-35G-488
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4979N-35G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(NTD4979N)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013)
HTML Datasheet
1(NTD4979N)
EDA Models
1(NTD4979N-35G Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-