BUZ31H3046XKSA1

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

BUZ31H3046XKSA1

Примечания

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

Подробное описание

N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Производитель

Infineon Technologies

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

1,000

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Infineon Technologies

Series

SIPMOS®

Package

Tube

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

14.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1120 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

95W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

PG-TO262-3-1

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

SP000682994

2156-BUZ31H3046XKSA1-IT

INFINFBUZ31H3046XKSA1

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BUZ31H3046XKSA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets

1(BUZ31H3046)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

HW-20-12-L-D-740-SM-A RT0402BRD075K1L MMT-117-01-L-DH-K HDWM-34-58-G-D-585 GEM08DRES

BUZ31H3046XKSA1

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты