English
Spain
China
Italy
GermanyPDTC143EMB315
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PDTC143EMB315
Примечания
TRANS PREBIAS
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
11,225
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Frequency - Transition
230 MHz
Power - Max
250 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
2156-PDTC143EMB315
NEXNXPPDTC143EMB315
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTC143EMB315
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PDTC143EMB)
HTML Datasheet
1(PDTC143EMB)
Количественные цены
-
Альтернативы
-