English
Spain
China
Italy
GermanyRFD16N05L
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RFD16N05L
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251AA
Производитель
Harris Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
257
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251AA
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-RFD16N05L
HARHARRFD16N05L
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFD16N05L
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 256
Стоимость единицы: $1.18
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 256
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 256
Альтернативы
-