English
Spain
China
Italy
GermanyRFW2N06RLE
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RFW2N06RLE
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 60 V 2A (Tc) 1.09W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip
Производитель
Harris Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
167
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.09W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
HARHARRFW2N06RLE
2156-RFW2N06RLE
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFW2N06RLE
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 167
Стоимость единицы: $1.8
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 167
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 167
Альтернативы
-