Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IRFU4105ZPBF
Примечания
MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Подробное описание
N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

2156-IRFU4105ZPBF
*IRFU4105ZPBF
SP001552434
INFINFIRFU4105ZPBF

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU4105ZPBF

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRFR4105ZPbF, IRFU4105ZPbF)
Simulation Models
1(IRFR4105Z Saber Model)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IRFU4615PBF
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 592
Стоимость единицы : $1.84000
Тип замены : Similar