English
Spain
China
Italy
GermanyFQPF2N60C
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQPF2N60C
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Подробное описание
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
501
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
23W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQPF2N60C
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQP2N60C Datasheet)
Количественные цены
Количество: 501
Стоимость единицы: $0.6
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 501
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 501
Альтернативы
-