English
Spain
China
Italy
GermanySIRS700DP-T1-RE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIRS700DP-T1-RE3
Примечания
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Подробное описание
N-Channel 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7.4W (Ta),132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 127A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
7.4W (Ta),132W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
742-SIRS700DP-T1-RE3TR
742-SIRS700DP-T1-RE3DKR
742-SIRS700DP-T1-RE3CT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIRS700DP-T1-RE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIRS700DP)
HTML Datasheet
1(SIRS700DP)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : SIRS700DP-T1-GE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 4,259
Стоимость единицы : $3.30000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 4,259
Стоимость единицы : $3.30000
Тип замены : Parametric Equivalent