English
Spain
China
Italy
GermanyRN1910FE(T5L,F,T)
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RN1910FE(T5L,F,T)
Примечания
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
RN1910FE(T5L,F,T) Models
Стандартная упаковка
4,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1910
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(RN1910,11FE Datasheet)
EDA Models
1(RN1910FE(T5L,F,T) Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : PUMH7,115
Производитель : Nexperia USA Inc.
Имеющееся количество : 12,777
Стоимость единицы : $0.28000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 12,777
Стоимость единицы : $0.28000
Тип замены : Similar