English
Spain
China
Italy
GermanyFCMT360N65S3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FCMT360N65S3
Примечания
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Подробное описание
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
SuperFET® III
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-PQFN (8x8)
Package / Case
4-PowerTSFN
Base Product Number
FCMT360
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-ND
FCMT360N65S3OSCT
2156-FCMT360N65S3TR
2832-FCMT360N65S3TR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FCMT360N65S3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FCMT360N65S3)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FCMT360N65S3)
Количественные цены
Количество: 3000
Стоимость единицы: $1.80843
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Альтернативы
-