Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPP25N06S3L-22
Примечания
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 55 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP25N

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

IPP25N06S3L22XK
IPP25N06S3L-22-ND
IPP25N06S3L-22IN
IFEINFIPP25N06S3L-22
2156-IPP25N06S3L-22-IT
IPP25N06S3L22X
SP000087993

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP25N06S3L-22

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPB(I,P)25N06S3L-22)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPB(I,P)25N06S3L-22)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : FDP55N06
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 268
Стоимость единицы : $1.58000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : IRFZ48RPBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 960
Стоимость единицы : $2.98000
Тип замены : Similar