English
Spain
China
Italy
GermanyIRFBG20L
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFBG20L
Примечания
MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 1000 V 1.4A (Ta) Through Hole I2PAK
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IRFBG20
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBG20L
Документация и средства массовой информации
-
Количественные цены
-
Альтернативы
-