English
Spain
China
Italy
GermanySIE810DF-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIE810DF-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Подробное описание
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (L)
Package / Case
10-PolarPAK® (L)
Base Product Number
SIE810
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SIE810DF-T1-GE3CT
SIE810DF-T1-GE3DKR
SIE810DF-T1-GE3-ND
SIE810DF-T1-GE3TR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIE810DF)
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS NOTICE 29/Nov/2023)
PCN Assembly/Origin
1(Wafer Site 12/Sep/2018)
HTML Datasheet
1(SIE810DF)
Количественные цены
Количество: 6000
Стоимость единицы: $1.55
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Количество: 3000
Стоимость единицы: $1.6156
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 3000
Альтернативы
-