English
Spain
China
Italy
GermanyRF1S45N03L
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RF1S45N03L
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 30 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Производитель
Harris Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
333
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
HARHARRF1S45N03L
2156-RF1S45N03L
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RF1S45N03L
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 333
Стоимость единицы: $0.9
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 333
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 333
Альтернативы
-