English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6603
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6603
Примечания
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
4,800
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6590 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MT
Package / Case
DirectFET™ Isometric MT
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6603
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6603)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6603)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : PSMN3R5-30YL,115
Производитель : Nexperia USA Inc.
Имеющееся количество : 7,138
Стоимость единицы : $1.16000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 7,138
Стоимость единицы : $1.16000
Тип замены : Similar