English
Spain
China
Italy
GermanyFQAF12N60
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQAF12N60
Примечания
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
Подробное описание
N-Channel 600 V 7.8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
FQAF12N60 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
FQAF1
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQAF12N60
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQAF12N60)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQAF12N60)
EDA Models
1(FQAF12N60 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-