English
Spain
China
Italy
GermanySPI16N50C3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SPI16N50C3
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 500 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
300
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IFEINFSPI16N50C3
2156-SPI16N50C3
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI16N50C3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SPA16N50C3 Datasheet)
Количественные цены
Количество: 300
Стоимость единицы: $1.12
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 300
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 300
Альтернативы
-