English
Spain
China
Italy
GermanyIPD60R600CP
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPD60R600CP
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
452
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CP
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-313
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD60R
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IFEINFIPD60R600CP
2156-IPD60R600CP
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD60R600CP
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 452
Стоимость единицы: $0.66
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 452
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 452
Альтернативы
-