English
Spain
China
Italy
GermanyIPS65R1K5CEAKMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPS65R1K5CEAKMA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Подробное описание
N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
28W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPAK
Base Product Number
IPS65R
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001276050
ROCINFIPS65R1K5CEAKMA1
2156-IPS65R1K5CEAKMA1-IT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPS65R1K5CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPS65R1K5CE)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IPS70R1K4P7SAKMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $49.88000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $49.88000
Тип замены : Direct