English
Spain
China
Italy
GermanyIRLI2203N
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRLI2203N
Примечания
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
Подробное описание
N-Channel 30 V 61A (Tc) 47W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLI2203N
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRLI2203N)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Design Resources
1(IRLI2203N Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRLI2203N)
Количественные цены
-
Альтернативы
-