English
Spain
China
Italy
GermanyIRFS33N15DPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFS33N15DPBF
Примечания
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IRFS33N15DPBF Models
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
*IRFS33N15DPBF
SP001571762
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS33N15DPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
HTML Datasheet
1(IRFB,IRFS(L)_33N15DPbF)
EDA Models
1(IRFS33N15DPBF Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : FDB2572
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 680
Стоимость единицы : $2.08000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 680
Стоимость единицы : $2.08000
Тип замены : Similar