English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6608
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6608
Примечания
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
4,800
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ ST
Package / Case
DirectFET™ Isometric ST
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
*IRF6608
IRF6608CT
IRF6608TR
SP001524584
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6608
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6608)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6608)
Product Drawings
()
Количественные цены
-
Альтернативы
-