English
Spain
China
Italy
GermanyRDN080N25FU6
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RDN080N25FU6
Примечания
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Подробное описание
N-Channel 250 V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Производитель
Rohm Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FN
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
RDN080
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor RDN080N25FU6
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(RDN080N25)
Featured Product
1(MOSFET ECOMOS)
HTML Datasheet
1(RDN080N25)
Product Drawings
1(TO-220FM, TO-220FN)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRF634PBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 6,650
Стоимость единицы : $1.68000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 6,650
Стоимость единицы : $1.68000
Тип замены : Similar