English
Spain
China
Italy
GermanySI4829DY-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SI4829DY-T1-GE3
Примечания
MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
Подробное описание
P-Channel 20 V 2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
LITTLE FOOT®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 10 V
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
SI4829
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SI4829DY-T1-GE3CT
SI4829DYT1GE3
SI4829DY-T1-GE3TR
SI4829DY-T1-GE3DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI4829DY-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
HTML Datasheet
1(SI4829DY)
Количественные цены
-
Альтернативы
-