English
Spain
China
Italy
GermanyFF6MR12W2M1PB11BPSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Примечания
SIC 2N-CH 1200V 200A
Подробное описание
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Models
Стандартная упаковка
18
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™+
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Base Product Number
FF6MR12
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
448-FF6MR12W2M1PB11BPSA1
SP004134434
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies FF6MR12W2M1PB11BPSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FF6MR12W2M1P_B11)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev LDD Rev 23/Dec/2022)
EDA Models
1(FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-