English
Spain
China
Italy
GermanyIRL3102SPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRL3102SPBF
Примечания
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 37A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
*IRL3102SPBF
SP001576532
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL3102SPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRL3102SPbF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Design Resources
1(IRL3102S Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRL3102SPbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
-