Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
BSM180D12P2C101
Примечания
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Подробное описание
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Производитель
Rohm Semiconductor
Стандартный срок поставки
17 Weeks
Модель EDACAD
BSM180D12P2C101 Models
Стандартная упаковка
12
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Power - Max
1130W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM180

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(BSM180D12P2C101)
Other Related Documents
1(SiCPMCtype Inner Structure)
Product Training Modules
()
Video File
()
Environmental Information
()
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(BSM180D12P2C101)
EDA Models
1(BSM180D12P2C101 Models)
Simulation Models
1(BSM180D12P2C101 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)

Количественные цены

Количество: 10
Стоимость единицы: $454.409
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $472.16
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-