English
Spain
China
Italy
GermanySIRA34DP-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIRA34DP-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Подробное описание
N-Channel 30 V 40A (Tc) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIRA34
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SIRA34DP-T1-GE3DKR
SIRA34DP-T1-GE3CT
SIRA34DP-T1-GE3-ND
SIRA34DP-T1-GE3TR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIRA34DP-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIRA34DP-T1-GE3)
Product Training Modules
1(30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
()
Product Drawings
1(PowerPak SO-8 Drawing)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : SIRA18ADP-T1-GE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 2,585
Стоимость единицы : $0.41000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 2,585
Стоимость единицы : $0.41000
Тип замены : Similar