English
Spain
China
Italy
GermanyRN1101CT(TPL3)
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RN1101CT(TPL3)
Примечания
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20 V 50 mA 50 mW Surface Mount CST3
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
50 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
CST3
Base Product Number
RN1101
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
RN1101CT(TPL3)DKR
RN1101CT(TPL3)TR
RN1101CT(TPL3)CT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT(TPL3)
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(RN110x)
HTML Datasheet
1(RN110x)
Количественные цены
-
Альтернативы
-