English
Spain
China
Italy
GermanyBSM35GB120DN2HOSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSM35GB120DN2HOSA1
Примечания
IGBT MOD 1200V 50A 280W
Подробное описание
IGBT Module Half Bridge 1200 V 50 A 280 W Chassis Mount Module
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Power - Max
280 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 35A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM35GB120
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-BSM35GB120DN2HOSA1
INFINFBSM35GB120DN2HOSA1
BSM35GB120DN2
SP000100461
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM35GB120DN2HOSA1
Документация и средства массовой информации
-
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : FF50R12RT4HOSA1
Производитель : Rochester Electronics, LLC
Имеющееся количество : 5,725
Стоимость единицы : $74.19000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 5,725
Стоимость единицы : $74.19000
Тип замены : Direct