Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPP80N06S2L09AKSA2
Примечания
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP80N

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

INFINFIPP80N06S2L09AKSA2
SP001061718
2156-IPP80N06S2L09AKSA2

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA2

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPx80N06S2L-09)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
HTML Datasheet
1(IPx80N06S2L-09)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPP80N06S2L07AKSA2
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 204
Стоимость единицы : $3.21000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : STP80NF55-08
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 48
Стоимость единицы : $2.91000
Тип замены : Similar