English
Spain
China
Italy
GermanyBSS209PW L6327
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSS209PW L6327
Примечания
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
Подробное описание
P-Channel 20 V 580mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
580mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.38 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
89.9 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT323
Package / Case
SC-70, SOT-323
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
BSS209PW L6327-ND
BSS209PWL6327
SP000245422
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSS209PW L6327
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BSS209PW)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSS209PW)
Количественные цены
-
Альтернативы
-