Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IRF6643TR1PBF
Примечания
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 150 V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MZ
Package / Case
DirectFET™ Isometric MZ

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

IRF6643TR1PBFTR
IRF6643TR1PBFCT
IRF6643TR1PBFDKR
SP001554104

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6643TR1PBF

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IRF6643TRPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
HTML Datasheet
1(IRF6643TRPbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IRF6643TRPBF
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 5,962
Стоимость единицы : $2.16000
Тип замены : Parametric Equivalent