English
Spain
China
Italy
GermanyIRFU13N20DPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFU13N20DPBF
Примечания
MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
Подробное описание
N-Channel 200 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001573640
*IRFU13N20DPBF
2156-IRFU13N20DPBF
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU13N20DPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF(R,U)13N20DPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF(R,U)13N20DPbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
-