English
Spain
China
Italy
GermanyJAN2N3960
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
JAN2N3960
Примечания
TRANS NPN 12V TO18
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 400 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Производитель
Microsemi Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
100
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Power - Max
400 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/399
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Base Product Number
2N3960
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
1086-20938-MIL
1086-20938-ND
1086-20938
150-JAN2N3960
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation JAN2N3960
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(2N3960)
Environmental Information
()
Количественные цены
-
Альтернативы
-