English
Spain
China
Italy
GermanyIRFU3707
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFU3707
Примечания
MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
Подробное описание
N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
87W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU3707
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF(R,U)3707)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF(R,U)3707)
Количественные цены
-
Альтернативы
-