English
Spain
China
Italy
Germany2SB1216S-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SB1216S-E
Примечания
TRANS PNP 100V 4A TP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
2SB1216S-E Models
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
130MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
TP
Base Product Number
2SB1216
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Другие названия
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB1216S-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(2SB1216/2SD1816)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
HTML Datasheet
1(2SB1216/2SD1816)
EDA Models
1(2SB1216S-E Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : 2SB1216S-E
Производитель : onsemi
Имеющееся количество : 195
Стоимость единицы : $0.91000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 195
Стоимость единицы : $0.91000
Тип замены : Parametric Equivalent
Номер запчасти. : 2SB1215S-E
Производитель : Rochester Electronics, LLC
Имеющееся количество : 1,175
Стоимость единицы : $0.44000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 1,175
Стоимость единицы : $0.44000
Тип замены : Similar