English
Spain
China
Italy
GermanyPHX34NQ11T,127
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PHX34NQ11T,127
Примечания
MOSFET N-CH 110V 24.8A TO220F
Подробное описание
N-Channel 110 V 24.8A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
110 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
56.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
PHX34
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
PHX34NQ11T
PHX34NQ11T-ND
934058495127
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PHX34NQ11T,127
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PHX34NQ11T)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PHX34NQ11T)
Количественные цены
-
Альтернативы
-