Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
TK28N65W,S1F
Примечания
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Подробное описание
N-Channel 650 V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
52 Weeks
Модель EDACAD
TK28N65W,S1F Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
TK28N65

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W,S1F

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(TK28N65W)
Featured Product
1(Server Solutions)
EDA Models
1(TK28N65W,S1F Models)

Количественные цены

Количество: 2010
Стоимость единицы: $2.92371
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1020
Стоимость единицы: $3.10502
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 510
Стоимость единицы: $3.62631
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $4.07958
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $4.75967
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $6.01
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-