English
Spain
China
Italy
GermanyGT10J312(Q)
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
GT10J312(Q)
Примечания
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Подробное описание
IGBT 600 V 10 A 60 W Through Hole
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Power - Max
60 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
400ns/400ns
Test Condition
300V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
200 ns
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Supplier Device Package
-
Base Product Number
GT10J312
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(GT10J312)
HTML Datasheet
1(GT10J312)
Количественные цены
-
Альтернативы
-