English
Spain
China
Italy
GermanyAPT10M09B2VFRG
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
APT10M09B2VFRG
Примечания
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Подробное описание
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Производитель
Microsemi Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Microsemi Corporation
Series
POWER MOS V®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9875 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
625W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Package / Case
TO-247-3 Variant
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT10M09B2VFRG
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(APT10M09(B2,L)VFR)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(APT10M09(B2,L)VFR)
Количественные цены
-
Альтернативы
-