English
Spain
China
Italy
GermanyFDA16N50LDTU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FDA16N50LDTU
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Подробное описание
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
190
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1945 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
205W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PN (L-Forming)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
2156-FDA16N50LDTU
FAIFSCFDA16N50LDTU
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDA16N50LDTU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 190
Стоимость единицы: $1.58
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 190
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 190
Альтернативы
-